Рейви К., Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии.
Перевод с англ.

1984, изд-во: Мир., город: М., стр. : 475 с. ил., обложка: Издательский переплет, формат: Обычный, состояние: Отличное. . Фундаментальная монография известного американского автора К. Рейви. В ней исследуется технология получения полупроводникового кремния высокой чистоты, используемого для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов различного назначения.